（原标题：原子级氟掺杂助力IGZO晶体管可靠性突破 —— VLSI 2024上的关键成果解读）配资查查 公众号记得加星标，第一时间看推送不会错过。 摘要 本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破，通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管在高温下的可靠性，实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能，刷新氧化物晶体管的国际纪录，该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集成等应用场景，具有重要技术价值。 随着三维异质集成与先进逻辑技术的发展，如何提升氧化
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